N-CHANNEL Datasheet(PDF) - LSIC1MO170E0750 - Littelfuse

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N-CHANNEL Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Littelfuse	LSIC1MO170E0750	515Kb/10P	1700 V, 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET 12/14/2020
	LGB8206ATI	443Kb/9P	350 V, 20 A N-Channel Ignition IGBT 4/27/2020
	LGD8209TI	323Kb/7P	410 V, 12 A N-Channel Ignition IGBT 2/22/2021
	LGB8204ATH	472Kb/10P	400 V, 18 A N-Channel Ignition IGBT 3/16/2020
	LSIC1MO120G0025	415Kb/10P	1200 V, 25 mOhm N-Channel SiC MOSFET 2/8/2021
	LSIC1MO120G0120	528Kb/10P	1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET 12/16/2020
	LSIC1MO120E0080	898Kb/8P	LSIC1MO120E0080 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
	LSIC1MO120E0120	915Kb/8P	LSIC1MO120E0120 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
	LSIC1MO120E0160	943Kb/8P	LSIC1MO120E0160 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET
	460-15-100-SLD	239Kb/2P	Single-Channel Seal-Leak Detector 2016 Rev: 1-A-092916
	201-100-SLD	567Kb/1P	Single-Channel Seal-Leak Detector 2016 Rev: 1-A-062816
	ISS-100	195Kb/1P	Single-Channel Intrinsically Safe Switch 2016 Rev: 1-A-062116
	ISS-102	234Kb/2P	Two-Channel Intrinsically Safe Switch 2016 Rev: 1-A-062116
	ISS-105	284Kb/2P	Five-Channel Intrinsically Safe Switch 2017 Rev: 1-B-050517
	460-15-100-LLS	201Kb/2P	Single-Channel Liquid Level Sensor 2019 Rev: 2-B-043019
	ISS-101	221Kb/2P	Single-channel intrinsically safe switch 2016 Rev: 1-A-062716
	SP3222	959Kb/5P	SP3222 0.9pF 30kV dual channel TVS 2020 Littelfuse, Inc.
	SP5003	627Kb/4P	SP5003 Series 4 Channel Common Mode Filter
	SE-145	2Mb/1P	The SE-145 is a three-channel
	IXTN210P10T	226Kb/7P	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC

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O que é N-CHANNEL

N-canal é um tipo de MOSFET (transistor de efeito de campo de óxido de metal-óxido-semicondutor) que possui um canal dopado com um material do tipo n.

Em um MOSFET de canal n, o fluxo de corrente é controlado por um fina filme de óxido de metal que atua como um portão, que é isolado do restante do dispositivo por uma fina camada isolante.

Quando uma tensão positiva é aplicada ao portão, ele cria um campo elétrico que atrai elétrons para o portão e forma um canal entre os terminais de origem e drenagem.

Esse canal permite que a corrente flua entre os terminais de origem e drenagem, e a largura do canal é determinada pela tensão aplicada ao portão.

Os MOSFETs de canal n são amplamente utilizados em uma variedade de aplicações, incluindo fontes de alimentação, acionamentos de motor e inversores, devido à sua alta impedância de entrada, baixa resistência no estado, velocidades de comutação rápidas e alta eficiência.

No entanto, os MOSFETs de canal n também têm algumas desvantagens, como uma classificação de tensão limitada e a necessidade de um circuito de acionamento portão para controlar o dispositivo. Além disso, eles são suscetíveis ao fuga térmica, o que pode fazer com que o dispositivo falhe se superaquecer.

Para mitigar esse risco, os MOSFETs de canal n são frequentemente usados em combinação com outros componentes, como dispositivos de proteção térmica ou circuitos de amortecedor.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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