MOSFET Datasheet(PDF) - FS10UM-5 - Mitsubishi Electric Semiconductor

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O que é MOSFET

O transistor de efeito de campo de óxido de metal-óxido-semicondutor (MOSFET) é um tipo de dispositivo semicondutor de energia usado para controlar aplicações de alta potência, como fontes de alimentação, acionamentos de motor e inversores.

É um tipo de transistor de efeito de campo (FET), o que significa que opera controlando o fluxo de corrente entre seus terminais de origem e drenagem usando um campo elétrico.

Em um MOSFET, o fluxo de corrente é controlado por um fina filme de óxido de metal que atua como um portão, que é isolado do restante do dispositivo por uma fina camada isolante.

A tensão da porta controla a largura do canal entre os terminais de origem e drenagem, que determina o fluxo de corrente através do dispositivo.

Existem dois tipos principais de MOSFETs: canal n e canal P. Os MOSFETs de canal n têm um canal que é dopado com um material do tipo N, enquanto os MOSFETs de canal P têm um canal que é dopado com um material do tipo P.

Os MOSFETs oferecem várias vantagens sobre outros tipos de semicondutores de energia, incluindo alta impedância de entrada, baixa resistência no estado, velocidades de comutação rápidas e alta eficiência.

Eles também são altamente versáteis e podem ser usados em uma variedade de aplicações, como fontes de alimentação, acionamentos de motor e inversores.

No entanto, os MOSFETs também têm algumas desvantagens, incluindo uma classificação de tensão limitada e a necessidade de um circuito de unidade de portão para controlar o dispositivo.

Além disso, eles são suscetíveis ao fuga térmica, o que pode fazer com que o dispositivo falhe se superaquecer.

Para mitigar esse risco, os MOSFETs são frequentemente usados em combinação com outros componentes, como dispositivos de proteção térmica ou circuitos de amortecedor.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Mitsubishi Electric Sem...	FS10UM-5	43Kb/4P	NCH OIWER MOSFET
	M63975FP	47Kb/5P	IGBT MOSFET DRIVER
	RA06H8285M	61Kb/8P	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
	RA07H0608M	64Kb/9P	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
	RA07N4047M	62Kb/9P	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
	RA30H3340M	108Kb/9P	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
	RA07M3340M	67Kb/9P	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
	RA07M2127M	61Kb/9P	MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
	RD01MUS2	251Kb/6P	Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W
	RD15HVF1	406Kb/9P	Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W
	RD16HHF1	282Kb/8P	Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W
	RD30HUF1	404Kb/7P	Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
	RD15HVF1	334Kb/10P	Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W
	RD30HVF1	401Kb/8P	Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
	RD06HHF1	204Kb/7P	Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W
	RD20HMF1	362Kb/7P	Silicon MOSFET Power Transistor,900MHz,20W
	RD09MUP2	152Kb/7P	Silicon MOSFET Power Transistor, 520MHz, 8W
	RD100HHF1	267Kb/8P	Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W
	RD45HMF1	321Kb/7P	Silicon MOSFET Power Transistor 900MHz,45W
	RD12MVP1	124Kb/7P	Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 10W

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