Um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é um tipo de dispositivo semicondutor de potência usado para controlar aplicações de alta tensão e alta corrente, como fontes de alimentação, acionamentos de motor e inversores. Ele combina a velocidade de comutação rápida de um transistor de junção bipolar (BJT) com a porta controlada por voltagem de um transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal (MOSFET).
O IGBT funciona usando um MOSFET como estágio de entrada e um transistor de junção bipolar como estágio de saída.
O portão do MOSFET é isolado do restante do dispositivo, o que permite a operação de alta tensão e maior confiabilidade.
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