IGBT Datasheet(PDF) - QID4515004 - Powerex Power Semiconductors

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IGBT Folha de dados, PDF

Palavra-chave pesquisada : 'IGBT' - Total: 287 (1/15) Pages

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Powerex Power Semicondu...	QID4515004	599Kb/7P	Dual IGBT
	QI-4515002	630Kb/7P	Dual IGBT
	QI-3320002	570Kb/7P	Dual IGBT
	MG600Q2YS60A	418Kb/6P	Compact IGBT
	QID4520002	507Kb/6P	Dual IGBT
	QID1215003	611Kb/7P	Hybrid IGBT Module
	MG400J2YS61A	320Kb/6P	Compact IGBT Series Module
	VLA536-01R	296Kb/4P	NX-Series Dual IGBT
	MG200Q2YS60A	320Kb/6P	Compact IGBT Series Module
	QIQ0645001	74Kb/3P	Low side Chopper IGBT Module 600V 450A IGBT / 600V 450A Fast Diode
	QIQ1245001	234Kb/2P	Low side Chopper IGBT Module 1200V 450A IGBT / 1200V 750A Fast Diode
	QIQ0645002	77Kb/2P	Low side Chopper IGBT Module 600V 450A IGBT / 600V 450A Fast Diode
	VLA507	207Kb/3P	Hybrid IC IGBT Gate Driver
	VLA503-01	535Kb/6P	Hybrid IC IGBT Gate Driver
	QIQ0630003	93Kb/2P	Low side Chopper IGBT Module
	VLA504-01	532Kb/6P	Hybrid IC IGBT Gate Driver
	VLA513-01	408Kb/3P	Hybrid IC IGBT Gate Driver
	CY20AAJ-8F	21Kb/2P	Nch IGBT for STROBE FLASHER
	VLA503	301Kb/6P	Hybrid IC IGBT Gate Driver
	VLA507-01	574Kb/3P	Hybrid IC IGBT Gate Driver

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O que é IGBT

Um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é um tipo de dispositivo semicondutor de potência usado para controlar aplicações de alta tensão e alta corrente, como fontes de alimentação, acionamentos de motor e inversores. Ele combina a velocidade de comutação rápida de um transistor de junção bipolar (BJT) com a porta controlada por voltagem de um transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal (MOSFET).

O IGBT funciona usando um MOSFET como estágio de entrada e um transistor de junção bipolar como estágio de saída.

O portão do MOSFET é isolado do restante do dispositivo, o que permite a operação de alta tensão e maior confiabilidade.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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