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FIELD Folha de dados, PDF

Palavra-chave pesquisada : 'FIELD' - Total: 18 (1/1) Pages
Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
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Shenzhen Huazhimei Semi...
HMG50N65T Datasheet pdf image
1Mb/8P
650V /50A Trench Field Stop IGBT
HM10N120T Datasheet pdf image
1Mb/8P
1200V /10A Trench Field Stop IGBT
HM6604BWKR Datasheet pdf image
1Mb/8P
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
HM25N135FT Datasheet pdf image
752Kb/9P
1350V /25A Trench Field Stop IGBT
HMG15N65 Datasheet pdf image
1Mb/10P
650V /15A Trench Field Stop IGBT
HM15N120AT Datasheet pdf image
1Mb/8P
1200V /15A Trench Field Stop IGBT
HM15N120FT Datasheet pdf image
1Mb/8P
1200V /15A Trench Field Stop IGBT
HMG60N65FT Datasheet pdf image
1Mb/8P
650V /60A Trench Field Stop IGBT
HMG75N65FT Datasheet pdf image
1Mb/7P
650V /75A Trench Field Stop IGBT
HM25N120FT Datasheet pdf image
1Mb/7P
1200V /25A Trench Field Stop IGBT
BSS84KR Datasheet pdf image
330Kb/4P
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
BSS8402DW Datasheet pdf image
315Kb/6P
Complementary Pair Enhancement Mode Field Effect Transistor
HM2301BWKR Datasheet pdf image
411Kb/6P
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HMG40N65T Datasheet pdf image
753Kb/4P
650V 40A trench gate field cut-off type IGBT
HM4618SP Datasheet pdf image
665Kb/6P
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HM603BK Datasheet pdf image
938Kb/8P
N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology.
HM609BK Datasheet pdf image
2Mb/8P
N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology.
HM1P10MR Datasheet pdf image
763Kb/5P
P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.

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O que é FIELD


O termo campo pode ser usado de várias maneiras no campo da eletrônica. Abaixo, explicaremos alguns dos significados comumente usados.

Transistor de efeito de campo (FET): Os transistores de efeito de campo são um dos componentes importantes nos componentes eletrônicos. As características elétricas são controladas pela tensão da porta e são usadas principalmente em várias aplicações, como amplificadores, interruptores e circuitos lógicos.

Array de campo: uma estrutura na qual vários elementos são organizados de acordo com um padrão predeterminado. No design de componentes eletrônicos, esses arranjos podem ser usados ​​para criar sistemas complexos combinando vários sensores, dispositivos ou elementos.

Campo magnético: No campo dos componentes eletrônicos, os campos magnéticos desempenham um papel importante em muitos dispositivos, como sensores magnéticos, alto -falantes e motores. Os campos magnéticos afetam vários componentes que operam usando corrente ou magnetismo.

Campo elétrico: No projeto de componentes eletrônicos, os campos elétricos representam interações elétricas e afetam vários fatores relacionados à transmissão de sinal elétrico.

Campo eletromagnético: um conceito usado para descrever os princípios operacionais e características dos componentes eletrônicos e dispositivos elétricos. É composto por uma combinação de campos elétricos e magnéticos e desempenha um papel importante em muitas aplicações relacionadas a ondas de rádio ou transmissão de sinal.

FPGA (matriz de portão programável em campo): Um FPGA é um dispositivo lógico digital programável, um dispositivo semicondutor que permite aos usuários configurar e reprogramar circuitos digitais conforme necessário.

Como tal, o termo campo é um termo muito versátil, representando uma variedade de conceitos e aplicações no campo dos componentes eletrônicos. Dependendo do contexto, significados específicos podem ser identificados.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.


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